近年来，异质结太阳电池因其高效光电转换性能而备受关注，但研究发现其短路电流（Isc）相较于传统晶体硅太阳电池较低，这在一定程度上限制了其进一步的应用和发展。本文从材料特性、界面复合以及工艺制备等方面对这一现象进行深入探讨，旨在揭示导致短路电流偏低的具体原因，并为优化异质结太阳电池性能提供理论依据。
首先，从材料特性来看，异质结太阳电池通常采用非晶硅与晶体硅的组合结构，这种组合虽然提高了开路电压（Voc），却也带来了新的挑战。由于非晶硅层的导电性较差，载流子传输效率受到抑制，从而影响了短路电流的表现。此外，非晶硅材料本身存在一定的缺陷密度，这些缺陷容易成为复合中心，进一步降低了光电转换效率。
其次，在界面复合方面，异质结太阳电池中非晶硅与晶体硅之间的界面是决定性能的关键区域。尽管钝化技术已取得显著进展，但仍难以完全消除界面处的复合损失。特别是在光照条件下，界面处的复合速率会显著增加，直接导致短路电流的下降。因此，如何有效降低界面复合损耗成为当前研究的重点之一。
再者，工艺制备过程中的细节控制同样不容忽视。例如，沉积非晶硅薄膜时的温度、气压及掺杂浓度等参数均会对最终器件性能产生重要影响。若这些参数设置不当，则可能导致薄膜质量不佳或界面状态恶化，进而影响短路电流的大小。此外，金属电极的设计与布局也会对电池的整体性能造成一定干扰，尤其是在接触电阻较大的情况下，会加剧能量损失。
综上所述，异质结太阳电池短路电流偏低是由多方面因素共同作用的结果，包括材料本身的局限性、界面复合效应以及工艺制备中的潜在问题。未来的研究应着重于开发新型材料、改进钝化技术以及优化制造流程，以期实现更高效率的异质结太阳电池。
